又有4项Micro LED 专利公布
近日，镭昱光电、精微科技、奇力电子陆续发布Micro LED微显相关专利，涉及Micro-LED芯片、垂直堆叠全彩Micro-LED制作、巨量转移技术，可提升Micro LED良率、光效等。
■ 镭昱光电：2则Micro LED专利进入审中公布
6月6日，镭昱光电科技(苏州)有限公司“Micro-LED显示芯片及其制备方法”、“Micro-LED显示芯片、显示装置和制备方法”的发明专利均进入审中公布阶段。
“Micro-LED显示芯片及其制备方法”涉及半导体器件技术领域。其中，Micro LED显示芯片包括基板、第一LED单元层和第二LED单元层。
基板包括多个第一触点。第一LED单元层包括第一键合层和间隔排布于第一键合层上方的多个第一LED单元。第一键合层熔融键合于基板的上方。第一LED单元和第一触点在基板上的垂直投影不重叠。第二LED单元层设于第一LED单元层的上方。第二LED单元层包括间隔排布的多个第二LED单元。第二LED单元和第一触点在基板上的垂直投影不重叠。本申请加工工艺简单，降低了连接对准难度，提升了器件的良率。
“Micro-LED显示芯片、显示装置和制备方法”专利，Micro LED显示芯片包括了驱动面板、多个LED单元、多个栅格结构和波长转换层，而波长转换层背离于LED单元的一侧形成有粗糙层，基于此通过粗糙层的设置可以使Micro LED显示芯片具备更大的出光表面积，进而可以改变光的出射方向，减少光子在界面处发生全反射，增加光子透过率，从而达到提升量子效率的目的，通过提高光子透过率可以提升Micro LED显示芯片的显示亮度和色彩饱和度。
■ 精微科技：垂直堆叠全彩Micro-LED、制备方法和显示面板
6月3日，武汉市精微科技有限公司“垂直堆叠全彩Micro-LED、制备方法和显示面板”专利进入审中公布阶段。
本发明公开了一种垂直堆叠全彩Micro‑LED、制备方法和显示面板，所述垂直堆叠全彩Micro‑LED包括外延结构和电极结构；
外延结构由下至上包括蓝光LED外延层、绿光LED外延层和红光LED外延层；绿光LED外延层和红光LED外延层内设置有直达蓝光LED外延层的第一电极通孔，蓝光LED外延层、绿光LED外延层和红光LED外延层外侧设置有第二电极通孔，红光LED外延层的外侧设置有第三电极通孔以及直达绿光LED外延层的第四电极通孔和第五电极通孔；电极结构包括蓝光阳极电极、红蓝光共阴极电极、红光阳极电极、绿光阳极电极和绿光阴极电极。
■ 奇力电子：Micro-LED微显示器件激光巨量转移方法及装置
6月6日，深圳奇立电子科技有限公司“Micro-LED微显示器件激光巨量转移方法及装置”进入有效授权阶段。
本发明涉及一种Micro‑LED微显示器件激光巨量转移方法及装置，包括以下步骤：
对解离后的Micro‑LED微显示器件进行微显示器件拍摄，得到Micro‑LED微显示器件位置和Micro‑LED微显示器件形态图像；基于Micro‑LED微显示器件位置和Micro‑LED微显示器件形态图像将解离后的Micro‑LED微显示器件拾取至目标基板上，得到转移后的Micro‑LED微显示器件阵列；对转移后的Micro‑LED微显示器件阵列进行固定，得到固定在目标基板上的Micro‑LED微显示器件阵列；对固定在目标基板上的Micro‑LED微显示器件阵列进行电性能测试，得到电性能参数，并将电性能参数低于电性能参数阈值的Micro‑LED微显示器件剔除出，得到合格的Micro‑LED微显示器件阵列，解决了传统的转移方法如机械转移和印刷转移，通常效率低下，且容易在转移过程中损坏微小的Micro‑LED微显示器件的技术问题。
