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西安电子科技大学赵子越博士:基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

2018-11-02
[摘要]  第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点,在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。谁掌握着技术的高地,谁就拥有更多的话语权。

  第三代半导体氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点,在新一代移动通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。谁掌握着技术的高地,谁就拥有更多的话语权。

  2018年10月23-25日,第十五届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2018)暨2018国际第三代半导体论坛(IFWS 2018)在深圳会展中心举行。其中,24日上午由中国电子科技集团第十三研究所、苏州能讯高能半导体有限公司支持协办的“第三代半导体微波射频技术分会”在河北半导体研究所副所长蔡树军和苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持下成功召开。

  

杨凌的学生

  “第三代半导体微波射频技术分会”作为论坛重要技术分会之一,会上,来自西安电子科技大学赵子越博士分享了《基于氮化钛源极扩展技术的常关型氟离子处理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(fT/fmax=61GHz/130GHz)》主题报告。

  他介绍说,在SiC衬底上实现了高性能的栅长为0.1um的常关型薄势垒AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件,采用氟离子注入技术并结合氮化钛源极扩展技术实现了高性能的常关型器件,其阈值电压达到0.6V,饱和电流达到845mA/mm@Vgs=3V,峰值跨导达到412mS/mm,电流截止频率达到61GHz,最大震荡频率达到130GHz。

  实验结果表明氮化钛源极扩展技术能够有效的提升常关型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的跨导峰值和频率特性。


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本文来源:中国半导体照明网

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